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Formation - Nano et microélectronique : évolution, état de l'art et perspectives des technologies CMOS, Beyond-CMOS et mémoires

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RESPONSABLE

Francis BALESTRA

Directeur de recherche

UMR 5130

LIEU

GRENOBLE (38)

ORGANISATION

2 jours
De 5 à 15 stagiaires

MÉTHODES PÉDAGOGIQUES

Cours interactifs et discussions, études de cas
En fin de formation, un test d'évaluation d'acquisition des connaissances sera effectué et une correction collective commentée permettra au stagiaire de se positionner sur l'atteinte des objectifs de la formation.
Des fichiers au format PDF seront mis à disposition du stagiaire.

COÛT PÉDAGOGIQUE

1020 Euros

A L'ISSUE DE LA FORMATION

Evaluation de la formation par les stagiaires
Envoi d'une attestation de formation

DATE DU STAGE

25081 : du lundi 06/10/2025 au vendredi 10/10/2025 à GRENOBLE

2025
Janvier Février Mars Avril
Mai Juin Juillet Août
Sept Oct
25081		 Nov Déc
OBJECTIFS
-

Connaître les propriétés électriques et les performances des technologies nanoélectroniques


-

Etre sensibilisé aux principaux défis et aux solutions les plus prometteuses pour différentes applications


-

Mettre à jour ses connaissances sur les nouveaux matériaux et architectures des composants électroniques

PUBLIC
Ingénieurs et chercheurs des secteurs électronique et microélectronique
PRÉREQUIS
Niveau équivalent à un master ou à un diplome d'ingénieur en électronique
PROGRAMME
- Evolution, limites et perspectives pour les composants nanoélectroniques, Roadmap internationale IRDS (International Roadmap for Devices and Systems)
- Physique de l'effet de champ, de la capacité MOS et du transistor MOS
- Propriétés électriques des composants MOS de petites géométries : transport de charges, effets de canaux courts et de diélectriques minces de grille, variabilité, fiabilité
- Principales méthodes de caractérisation des propriétés électriques des composants
- Propriétés électriques des dispositifs MOS innovants : diélectrique « high k », canaux à semiconducteurs contraints
- Propriétés spécifiques et intérêt des composants MOS Silicium-sur-isolant (SOI)
- Propriétés et performance des composants électroniques multi-grilles
- Dispositifs nanoélectroniques ultimes et Beyond-CMOS (Multi-canaux, Nanofils, Tunnel FETs, Negative capacitance FET, Nanotubes de carbone...)
- Evolution, limites et perspectives pour les mémoires DRAM, SRAM, non-volatiles

Dernière demi-journée consacrée à des discussions et échanges sur des cas proposés par les participants
INTERVENANT
F. Balestra (directeur de recherche)